Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (3)

Реферативна база даних (18)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Дремлюженко С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17 Представлено документи з 1 до 17
1.	Борук С. Д Вплив модифікаторів на інтенсивність контактної взаємодії високодисперсних систем на основі телуриду кадмію [Електронний ресурс] / С. Д Борук, С. Г. Дремлюженко, І. М. Юрійчук, І. Д. Сиротинська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - Т. 12, № 3. - С. 710-714. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2011_12_3_30 Досліджено вплив концентрації модифікаторів і полярності дисперсійного середовища на властивості та стійкість високодисперсних суспензій телуриду кадмію. Виявлено, що седиментаційна стійкість частинок дисперсних систем телуриду кадмію змінюється пропорційно зміні електрокінетичного потенціалу. Доведено, що ізотерми адсорбції досліджуваних речовин описуються рівнянням Ленгмюра. Показано вплив деяких модифікаторів у разі їх використання у водному середовищі на зростання стійкості частинок дисперсної фази високодисперсних суспензій телуриду кадмію. Попередній перегляд: Завантажити - 183.973 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Галочкін О. В. Вплив потужного мілісекундного лазерного випромінювання на глибину проплавленого шару в кристалах CdTe та Cd0,8Mn0,2Te [Електронний ресурс] / О. В. Галочкін, В. М. Жихаревич, Г. І. Раренко, В. М. Стребежев, Я. Д. Захарук, С. Г. Дремлюженко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13, № 1. - С. 224-229. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2012_13_1_39 Наведено експериментальні дані та теоретичні розрахунки глибини проплаву поверхні пластин CdTe і Cd0,8Mn0,2Te в результаті дії на неї потужного моноімпульсного лазерного випромінювання. Визначено значення густини енергії лазерного випромінювання, за яких процес випаровування речовини стає істотним. Для досягнення максимальної глибини проплаву поверхневого шару пластин доцільно проводити лазерне опромінення у відновлювальній (інертній) атмосфері підвищеного тиску. Попередній перегляд: Завантажити - 295.255 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Ащеулов А. А. Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки [Електронний ресурс] / А. А. Ащеулов, А. В. Галочкин, И. С. Романюк, С. Г. Дремлюженко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2016. - № 2-3. - С. 3-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2016_2-3_3 Представлены конструкция и технология изготовления структуры фотодиода Шоттки на основе подложки из радиационно-стойкого кристалла n-In₂Hg₃Te₆ с барьерным слоем из Cr, характеризуемого фотоответом в области 0,6—1,6 мкм при максимальной чувствительности 0,43 А/Вт на длине волны 1,55 мкм. Исследования электрических параметров этих фотодиодных структур показали, что высота потенциального барьера составляет 0,41 эВ, а величина обратного темнового тока не превышает 4 мкА. Созданные устройства сохраняют свою работоспособность при дозах гамма-облучения 2 108 бэр.Наведено конструкцію і технологію виготовлення структури фотодіода Шотткі на основі підкладки з радіаційно-стійкого кристала n-In₂Hg₃Te₆ з бар'єрним шаром з Cr, що характеризується фотовідповіддю в області 0,6—1,6 мкм за максимальної чутливості.Ge, Si, InGaAs, GaInAsP photodiodes are used as optical radiation receivers and function in a spectral range of transparency of quartz fiberglass. For the optical systems operated in the increased radioactivity the photodetectors’ application on In2Hg3Te6 crystal base characterized by a photosensitivity in the spectral range of 0,5-1,6 mm and also by increased radiation resistance to alpha, beta and gamma radiation is most acceptable. Schottky photodiode structure was designed on the base of this semiconductor formed by a modified floating zone recrystallization technique where the sedimentation effect was leveled. It consists of n-In2Hg3Te6 substrate and deposited by cathode sputtering Cr barrier layer of thickness within a range 10-11 nm choice ofCr is determined by its optimal optical, electric and adhesive features in high quality radiation-resistant photodiode structures manufacturing. Indium and nichrome are used as ohmic contacts. The barrier structures have the contact area of 1,13 mm2 withphoto response of 0,6-1,6 mm at the maximal sensitivity 0,43 A/W on the wavelength l,55 mm. Reverse dark current of these structures do not exceed 4 mA at the bias of 1 V (T=295 K), and the potential barrier height is equal to 0,41 eV. The tests of radiation resistance of these structures demonstrated their ability to function at doses of 2•108 rem without evident parameters changes. This allows using them in practical aims in the conditions of high radiation. Попередній перегляд: Завантажити - 336.858 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Раренко І. М. Прилади для дистанційного виміру температури різних об'єктів на основі анізотропних термоелементів CdSb [Електронний ресурс] / І. М. Раренко, О. Г. Шайко-Шайковский, A. І. Раренко, С. Г. Дремлюженко, M. Є. Білов // Термоелектрика. - 2015. - № 5. - С. 56-63. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TE_2015_5_7 Представлено дані щодо конструкції, принципу роботи, фізичних й технічних параметрів датчиків для неконтактного виміру температури різних об'єктів на основі анізотропних термоелементів CdSb. Розроблено метод синтезу й вирощування чистих і структурно досконалих монокристалів CdSb для створення анізотропних термоелементів. Попередній перегляд: Завантажити - 325.043 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Раренко И. М. Приборы для дистанционного измерения температуры различных объектов на основе анизотропных термоэлементов CdSb [Електронний ресурс] / И. М. Раренко, А. Г. Шайко-Шайковский, С. Г. Дремлюженко, М. Е. Белов, A. И. Раренко // Термоэлектричество. - 2015. - № 5. - С. 58-66. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ter_2015_5_7 Попередній перегляд: Завантажити - 314.777 Kb Зміст випуску Цитування
6.	Фочук П. Порівняння електрофізичних характеристик нелегованих кристалів Cd1–xZnxTe, Cd1–yMnyTe та Cd1–x–yZnxMnyTe (x, y ≤ 0,1) [Електронний ресурс] / П. Фочук, Є. Никонюк, З. Захарук, С. Дремлюженко, О. Копач, А. Опанасюк // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т. 8, № 4(1). - С. 04011-1-04011-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2016_8_4(1)__13 Проведено аналіз температурної залежності (T = 80 - 360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1-xZnxTe, Cd1-yMnyTe та Cd1-x-yZnxMnyTe (<$Ex,~y~symbol Г~0,1>), вирощених за вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1-xZnxTe провідність контролюється як акцепторами <$EA sub 1 ( epsilon sub A sup 0 ~=~0,03~-~0,05> еВ), так і акцепторами <$EA sub 2 ( epsilon sub A sup 0 ~symbol Ы~0,12> еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1-yMnyTe і Cd1-x-yZnxMnyTe лише акцепторами A2, при цьому залежність <$Eepsilon sub A2 (y)> описується рівнянням: <$Eepsilon sub A2 ~=~0,12(1~+~5,5y)>, еВ.Проведено аналіз температурної залежності (T = 80 - 360 К) електрофізичних властивостей кристалів Cd1-xZnxTe, Cd1-yMnyTe та Cd1-x-yZnxMnyTe (<$Ex,~y~symbol Г~0,1>), вирощених за вертикальним методом Бріджмена. Встановлено, що в кристалах Cd1-xZnxTe провідність контролюється як акцепторами <$EA sub 1 ( epsilon sub A sup 0 ~=~0,03~-~0,05> еВ), так і акцепторами <$EA sub 2 ( epsilon sub A sup 0 ~symbol Ы~0,12> еВ), енергія іонізації яких не залежить від складу, а в кристалах Cd1-yMnyTe і Cd1-x-yZnxMnyTe лише акцепторами A2, при цьому залежність <$Eepsilon sub A2 (y)> описується рівнянням: <$Eepsilon sub A2 ~=~0,12(1~+~5,5y)>, еВ. Попередній перегляд: Завантажити - 422.778 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
7.	Лесина Н. В. Фізико-хімічна взаємодія в системі Cd – CdTe – Sb [Електронний ресурс] / Н. В. Лесина, С. Г. Дремлюженко, М. Л. Ковальчук, В. Г. Іваніцька, Н. Д. Рудик // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2004. - Вип. 201. - С. 72-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2004_201_18 Попередній перегляд: Завантажити - 192.882 Kb Зміст випуску Цитування
8.	Гребенщиков В. О. Поведінка CdSb в області температури плавлення [Електронний ресурс] / В. О. Гребенщиков, С. Г. Дремлюженко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 63. - С. 106-108. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_63_24 Попередній перегляд: Завантажити - 221.44 Kb Зміст випуску Цитування
9.	Лесина Н. В. Cистема СdTe–CdSb [Електронний ресурс] / Н. В. Лесина, С. Г. Дремлюженко, І. М. Раренко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 66. - С. 18-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_66_6 Попередній перегляд: Завантажити - 257.112 Kb Зміст випуску Цитування
10.	Захарук З. І. Розподіл Mn у кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe [Електронний ресурс] / З. І. Захарук, В. В. Горбунов, С. Г. Дремлюженко, Ю. П. Стецько, І. М. Раренко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 1999. - Вип. 66. - С. 88-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_1999_66_26 Попередній перегляд: Завантажити - 245.956 Kb Зміст випуску Цитування
11.	Стребежев В. М. Вплив умов отримання на стабільність багатошарових інтерференційних покриттів на базі CdSb [Електронний ресурс] / В. М. Стребежев, І. М. Раренко, С. М. Куликовська, С. Г. Дремлюженко // Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, електроніка. - 2000. - Вип. 79. - С. 22-24. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchnufe_2000_79_7 Попередній перегляд: Завантажити - 570.787 Kb Зміст випуску Цитування
12.	Дремлюженко С. Г. Одержання однорідних кристалів Hg3In2Te6 та їх фізико-хімічні властивості [Електронний ресурс] / С. Г. Дремлюженко, З. І. Захарук, І. М. Раренко, В. М. Склярчук, В. З. Цалий, О. В. Копач, D. Ziółkowska, A. Shyichuk // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2014. - Вип. 722. - С. 42-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2014_722_11 Попередній перегляд: Завантажити - 448.761 Kb Зміст випуску Цитування
13.	Боднарук О. О. Особливості синтезу та вирощування кристалів твердого розчину MnxHg1-xTe [Електронний ресурс] / О. О. Боднарук, І. М. Горбатюк, С. Г. Дремлюженко, О. В. Копач, І. М. Раренко, І. М. Юрійчук, О. В. Галочкін // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2015. - Вип. 753. - С. 64-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2015_753_14 Попередній перегляд: Завантажити - 496.755 Kb Зміст випуску Цитування
14.	Фочук П. М. Особливості електрофізичних властивостей нелегованих високоомних кристалів n-CdTe [Електронний ресурс] / П. М. Фочук, Є. С. Никонюк, З. І. Захарук, Г. І. Раренко, С. Г. Дремлюженко // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2016. - Вип. 771. - С. 56-60. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2016_771_11 Попередній перегляд: Завантажити - 264.948 Kb Зміст випуску Цитування
15.	Цалий В. З. Проміжний порядок в аморфних сплавах системи In-Te [Електронний ресурс] / В. З. Цалий, С. Г. Дремлюженко, П. М. Фочук // Науковий вісник Чернівецького університету. Хімія. - 2016. - Вип. 771. - С. 61-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nvchu_chem_2016_771_12 Попередній перегляд: Завантажити - 251.821 Kb Зміст випуску Цитування
16.	Галочкін О. В. Одержання однорідних кристалів ртутно-індієвого телуриду [Електронний ресурс] / О. В. Галочкін, С. Г. Дремлюженко, З. І. Захарук, В. М. Склярчук, В. З. Цалий, А. А. Ащеулов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 1. - С. 129-133. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_1_21 За допомогою модифікованого методу зонної плавки одержано великоблочні монокристали ртутно-індієвого телуриду. Проведено диференціально-термічний, рентгеноструктурний аналізи. Попередній перегляд: Завантажити - 303.295 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
17.	Ащеулов А. Фотодіод Шотткі на основі Cr/In2Hg3Te6 [Електронний ресурс] / А. Ащеулов, І. Романюк, Ю. Добровольський, С. Дремлюженко, А. Галочкін // Метрологія та прилади. - 2017. - № 2. - С. 35-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/mettpr_2017_2_9 Попередній перегляд: Завантажити - 287.382 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського